Bagong 1700v sic power module

Inihayag ng ROHM ang pagbuo ng isang 1700V / 250A na na-rate na module ng kapangyarihan ng SiC na nagbibigay ng mataas na antas ng pagiging maaasahan na na-optimize para sa mga aplikasyon ng inverter at converter tulad ng mga panlabas na sistema ng pagbuo ng kuryente at pang-industriya na mga suplay ng kuryente

Sa mga nagdaang taon, dahil sa mga benepisyong nakakatipid ng enerhiya, nakakakita ang SiC ng higit na pag-aampon sa 1200V na mga aplikasyon tulad ng mga de- kuryenteng sasakyan at pang - industriya na kagamitan. Ang takbo patungo sa mas mataas na density ng kuryente ay nagresulta sa mas mataas na mga voltages ng system, na nagdaragdag ng pangangailangan para sa mga produktong 1700V. Gayunpaman, naging mahirap upang makamit ang ninanais na pagiging maaasahan, at sa gayon ang mga IGBT ay pangkalahatang ginustong para sa 1700V na mga application. Bilang tugon, nagawang maabot ng ROHM ang mataas na pagiging maaasahan sa 1700V, habang pinapanatili ang pagganap ng nakakatipid ng enerhiya ng mga tanyag na produktong 1200V SiC, na nakamit ang unang matagumpay na gawing komersyo ng 1700V na na-rate ang mga module ng kapangyarihan ng SiC.

Ang BSM250D17P2E004 ay gumagamit ng mga bagong pamamaraan ng konstruksyon at mga materyales sa patong upang maiwasan ang pagkasira ng dielectric at sugpuin ang pagtaas ng kasalukuyang pagtagas. Bilang isang resulta, nakakamit ang mataas na pagiging maaasahan na pumipigil sa pagkasira ng dielectric kahit na pagkalipas ng 1,000 oras sa ilalim ng mataas na temperatura na mataas na kahalumigmigan na pagsubok sa pagsubok (HV-H3TRB). Tinitiyak nito ang operasyon ng mataas na boltahe (1700V) kahit na sa ilalim ng matinding mga kapaligiran sa temperatura at halumigmig.

Sa pamamagitan ng pagsasama ng napatunayan na ROHM na SiC MOSFETs at SiC Schottky hadlang diode sa parehong module at pag-optimize sa panloob na istraktura na ginagawang posible na bawasan ang paglaban ng ON ng 10% sa iba pang mga produkto ng SiC sa klase nito. Ito ay isinasalin sa pinabuting pagtitipid ng enerhiya at nabawasan ang pagwawaldas ng init sa anumang aplikasyon.

Pangunahing tampok

1. Nakakamit ang pinakamataas na antas ng pagiging maaasahan sa ilalim ng mataas na temperatura at mataas na mga kapaligiran sa kahalumigmigan

Ang pinakabagong 1700V module na ito ay nagpapakilala ng isang bagong pamamaraan ng pag-packaging at mga materyales sa patong upang maprotektahan ang maliit na tilad, na nagbibigay-daan sa pagkamit ng unang matagumpay na gawing komersyo ng isang 1700V SiC Module, na ipinapasa ang mga pagsubok sa pagiging maaasahan ng HV-H3TRB.

Halimbawa, sa pagsubok ng mataas na temperatura ng mataas na kahalumigmigan ang BSM250D17P2E004 ay nagpakita ng higit na pagiging maaasahan na walang mga pagkabigo kahit na ang 1,360V ay inilapat para sa higit sa 1,000 oras sa 85 ° C at 85% na kahalumigmigan, hindi katulad ng maginoo na mga module ng IGBT na karaniwang nabigo sa loob ng 1,000 oras dahil sa dielectric pagkasira. Upang matiyak ang pinakamataas na antas ng pagiging maaasahan ROHM nasubukan ang kasalukuyang pagtulo ng mga module sa iba't ibang mga agwat na may pinakamataas na antas ng pag-block ng boltahe 1700V.

2. Ang Superior ON na paglaban ay nag-aambag sa mas matitipid na enerhiya

Ang pagsasama-sama ng ROHM's SiC Schottky had diodes at MOSFETs sa loob ng parehong module ay ginagawang posible na bawasan ang paglaban ng ON ng 10% kumpara sa iba pang mga produkto sa klase nito, na nag-aambag sa pinabuting pagtipid ng enerhiya.

Bahagi Blg.	Ganap na Maximum na Mga Rating (Ta = 25ºC)	Pag-inductance (nH)	Package (mm)	Thermistor
VDSS (V)	VGS (V)	ID (A)	Tj max (ºC)	Tstg (ºC)	Visol (V)
BSM080D12P2C008	1200	-6 hanggang 22	80	175	-40 hanggang 125	2500	25	C Uri 45.6 x 122 x 17	NA
BSM120D12P2C005	120
BSM180D12P3C007	-4 hanggang 22	180
BSM180D12P2E002	-6 hanggang 22	180	13	E Uri 62 x 152 x 17	Oo
BSM300D12P2E001	300
BSM400D12P3G002	-4 hanggang 22	400	10	G Uri 62 x 152 x 17
BSM600D12P3G001	600
BSM250D17P2E004	1700	-6 hanggang 22	250	3400	13	E Uri 62 x 152 x 17